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(A graphene bilayer channel transistor with a very high Ion/Ioff ratio, graphene single electron devices and graphene mechanical structures for NEMS)

Z. Moktadir, S. A. Boden, A. Ghiass, H. Rutt, H. Mizuta, 宮崎 久生, 黎 松林, 塚越 一仁.
UK-Japan graphene workshop. 2011年02月03日-2011年02月04日.

NIMS著者


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    作成時刻: 2017-02-14 11:35:48 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:01:40 +0900

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