放射光を用いた100-1100 eV領域におけるSiおよびSiO2の光電子ピーク強度比の運動エネルギー依存性．I 実験
(Energy dependence of the Si2p photoelectron peak ratios of Si and SiO2 in the 100 - 1100 eV energy range measured with synchrotr)
表面科学講演大会. 2001年11月27日-2001年11月29日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:04:03 +0900 更新時刻: 2017-07-10 18:23:51 +0900