HOME > 口頭発表 > 書誌詳細アンダードープBi2212の常伝導状態ギャップの高分解能電子分光(High-resolution Photoemission Study of Nornal-State Gap in Underdoped Bi2212)横谷尚睦(東北大), H.Ding(Univ.Illinois), 高橋隆, J.C.Campuzano, M.Randeria, N.R.Norman, 茂筑 高士, 門脇和男, J.Giapintzakis, 横谷尚睦(東北大), H.Ding(Univ.Illinois), 高橋隆, J.C.Campuzano, M.Randeria, N.R.Norman, 門脇和男, J.Giapintzakis. 日本物理学会 秋の分科会. 1996年10月01日-1996年10月04日.NIMS著者茂筑 高士Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-18 01:08:36 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:38:18 +0900