液滴エビタキシー法により作成したInGaAs量子ドットの磁場中発光特性
(Magneto-photolaminescence study of InGaAs quantam dots fabricated by droplet epitaxy )
The 9th International Conference on Modulated Semiconductor Stru. 1999年07月12日-1999年07月16日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-18 01:42:50 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:56:22 +0900