液滴エピタキシィ法で作製したGaAs量子ドットのアニール効果
(Post-Anneal Effects on Photoluminescence Properties of GaAs Quantum Dots Grown by Droplet Epitaxy)
Materials Research Society 2000 Fall Meeting. 2000年11月27日-2000年12月01日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:14:34 +0900 更新時刻: 2018-05-30 18:40:34 +0900