短チャネルトンネルトランジスタにおけるAl-Nイオン注入で形成した深い準位を介する単一電子輸送
(Single-electron transport via deep level in Al-N-implanted short-channel tunnel field-effect transistor (TFET)
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-01-08 03:32:34 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:04:32 +0900