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短チャネルトンネルトランジスタにおけるAl-Nイオン注入で形成した深い準位を介する単一電子輸送
(Single-electron transport via deep level in Al-N-implanted short-channel tunnel field-effect transistor (TFET)
NIMS author(s)
Fulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)
Created at: 2017-01-08 03:32:34 +0900Updated at: 2017-07-10 22:04:32 +0900