HOME > 口頭発表 > 書誌詳細III-V族窒化物太陽電池特性のp-GaN 層Mg dopingと InGaN層のキャリア密度依存性(Dependence of III-V nitride solar cell properties on Mg-doping and carrier density in InGaN)角谷 正友, サン リウエン, 長谷川文夫, 中野由崇. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014.NIMS著者角谷 正友サン リウエンMaterials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-01-08 04:52:12 +0900 更新時刻 :2017-07-10 22:05:43 +0900