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III-V族窒化物太陽電池特性のp-GaN 層Mg dopingと InGaN層のキャリア密度依存性
(Dependence of III-V nitride solar cell properties on Mg-doping and carrier density in InGaN)

著者角谷 正友, サン リウエン, 長谷川文夫, 中野由崇.
会議名第75回応用物理学会秋季学術講演会
発表年2014
言語Japanese

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