III-V族窒化物太陽電池特性のp-GaN 層Mg dopingと InGaN層のキャリア密度依存性
(Dependence of III-V nitride solar cell properties on Mg-doping and carrier density in InGaN)
第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014年09月17日-2014年09月20日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 04:52:12 +0900 更新時刻: 2017-07-10 22:05:43 +0900