HOME > Presentation > Detail界面形成手法によるSiO2/β-Ga2O3(001)バンドアライメントの違いの考察(Investigation of SiO2/β-Ga2O3(001) band alignment differences by interface formation processes)武田 大樹, 女屋 崇, 生田目 俊秀, 喜多 浩之. 2023年 第70回応用物理学会春季学術講演会. March 15, 2023-March 18, 2023.NIMS author(s)NABATAME, ToshihideFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2023-04-10 17:34:46 +0900Updated at: 2023-04-10 17:34:46 +0900