S終端処理を施したInP基板上での液滴エピタキシィによるInGaAs微結晶の成長.
(Growth of InGaAs Micro Crystals on a S-Terminated InP Substrate by Droplet Epitaxy.)
応用物理学会. 1991年10月09日-1991年10月12日.
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作成時刻: 2017-02-18 00:21:56 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:11:57 +0900