Scanning Tunneling Spectroscopy and First-Principles Inrestigation on GaAs(001)(2×6)-S Surface Formed by Molecular Beam Epitaxy
(分子線エピタキシィ法により形成されたGaAs(001)(2×6)-S表面の走査型トンネル電子分光法及び第１原理的考察による解析)
9th International Conference on Molecular Beam Epitaxy. 1996年08月05日-1996年08月09日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:10:40 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:36:50 +0900