Anodic porous alumina for resistive random access memory
(抵抗変化型不揮発性メモリとしての陽極酸化ポーラスアルミナ)
23rd Int. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors. 2009.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 03:30:41 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:34:35 +0900