強誘電体メモリーのためのAs終端Si表面を使った急峻な酸化物/Si界面の作製
(Abrupt Oxide/Si Interface Formation Using As-terminated Si for Ferroelectric Memory Device)
Electoric Material Conference 2000 電子材料会議2000. 2000年06月21日-2000年06月23日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 03:55:22 +0900 更新時刻: 2017-07-10 18:05:47 +0900