Se終端処理を施したGaAlAs基板上での液滴エピタキシィによるGaAs微結晶の成長.
(Growth of GaAs Micro Crystals on Se-Terminated GaAlAs Epitaxial Layers by Droplet Epitaxy.)
応用物理学会. 1991年10月09日-1991年10月12日.
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作成時刻: 2017-02-18 00:21:59 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:11:59 +0900