HOME > Presentation > Detailアトムプローブ法によるGe/Siコアシェルナノワイヤ中の不純物分布(Characterization of dopant in Individual Si / Ge Core-Shell Nanowires Investigated by Atom Probe Tomography)Bin Han, 清水康雄, ジェバスワン ウイパコーン, 西部 康太郎, 井上耕治, 深田 直樹, 永井康介. 春季第63回応用物理学関係連合講演会. 2016.NIMS author(s)JEVASUWAN, WipakornFUKATA, NaokiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-01-08 04:30:47 +0900Updated at: 2017-07-10 22:22:57 +0900