HOME > Presentation > Detail化合物半導体障壁層を用いた磁気トンネル接合の高出力化(Magnetic tunnel junctions with semiconducting tunneling barrier)葛西 伸哉, 向山 広記, セペリ アミン ホセイン, 大久保 忠勝, 三谷 誠司, 宝野 和博. ImPACT佐橋プログラム、公開成果報告会. 2018-06-29.NIMS author(s)KASAI, ShinyaSEPEHRI AMIN, HosseinOHKUBO, TadakatsuHONO, KazuhiroFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2018-07-05 16:46:31 +0900 Updated at: 2018-07-05 16:46:31 +0900