HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Electrical Properties of H-terminated Diamond FETs with AlN gateKOIDE, Yasuo. 4th E-MRS & MRS-J SYMPOSIUM. 2018年10月14日-2018年10月19日. 招待講演NIMS著者小出 康夫Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2019-06-29 03:00:20 +0900更新時刻: 2024-03-05 12:21:05 +0900
