Uniform epitaxial growth of SiON on SiC and formation of new emission defects
(光電子運動量顕微鏡によるBi/Si(111)-bの電子状態の研究)
Annual Meeting of the Japan Society of Vacuum and Surface Science 2025 (JVSS 2025). 2025年10月20日-2025年10月22日.
NIMS著者
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作成時刻: 2026-01-23 03:07:39 +0900 更新時刻: 2026-01-23 03:07:39 +0900