EBIC法による歪Si/SiGe薄膜界面の転位の評価
(EBIC characterization of dislocations at the interface of strained Si/Si0.8Ge0.2)
2004年秋季応用物理学会学術講演会. 2004.
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作成時刻: 2017-01-08 04:56:42 +0900更新時刻: 2017-07-10 19:06:13 +0900