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著者名袁 暁利, 関口 隆史, 李成奇, 伊藤俊.
タイトルEBIC法による歪Si/SiGe薄膜界面の転位の評価
(EBIC characterization of dislocations at the interface of strained Si/Si0.8Ge0.2)
会議名2004年秋季応用物理学会学術講演会
発表年2004
言語Japanese
外部での文献参照

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