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バイアスを印可したプラズマ酸化過程におけるSi表面応力の研究Ⅰ
(Surjace Stress in Silicon Oxide Layer made by Plasma Oxidation With Applying Sample BiasⅠ )
日本物理学会 1998年秋の分科会. September 25, 1998-September 28, 1998.
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Created at: 2017-02-18 01:32:08 +0900 Updated at: 2018-05-21 18:21:39 +0900