HOME > 口頭発表 > 書誌詳細S終端処理を施したGaAs基板上でのGaAsエピタキシャル微結晶の成長.(Growth of GaAs Epitaxial Microcrystals on a S-Terminated GaAs Substrate.)大西 桂子, 小口 信行. 応用物理学会. 1992年09月16日-1992年09月19日.NIMS著者大西 桂子Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-18 00:24:52 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:13:34 +0900