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EXAFS 法によるSi 結晶中のBi δ ドーピング層形成過程の研究2:埋め込みBi 原子細線構造中のBi-Si 隣接局所構造
(EXAFS measurement of encapsulated Bi nanoline in Si)
第73回応用物理学会学術講演会. 2012.
NIMS author(s)
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Created at: 2017-02-14 11:42:19 +0900Updated at: 2017-07-10 21:31:15 +0900