HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Si電子状態のボロンドープ量依存性(Boron-concentration-dependence of electronic structure of Si)脇田高徳, 岡崎宏之, 高野 義彦, 平井正明, 村岡祐治, 横谷尚睦. 日本物理学会第63回年次大会. 2008.NIMS著者高野 義彦Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-02-14 11:06:23 +0900 更新時刻 :2018-06-05 12:14:21 +0900