HOME > 口頭発表 > 書誌詳細非毒性直接遷移型ナローギャップ半導体の探索(Exploration of non-toxic narrow gap semiconductors with direct-transition bandgap)大橋 直樹, 大谷 茂樹, David Mora–Fonz, 大垣 武, 宮川 仁, Alexander Shluger. 第40回電子材料研究討論会. 2020.NIMS著者大橋 直樹大垣 武宮川 仁Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2020-12-24 03:00:24 +0900更新時刻: 2020-12-24 03:00:24 +0900