HOME > 口頭発表 > 書誌詳細InGaN/GaN量子井戸構造におけるIn組成、格子歪および内部電界のマッピング(Mapping In concentration, strain and internal electric field in InGaN/GaN quantum well structure)竹口 雅樹, M.R.McCartney, David Smith. 第51回応用物理学関係連合学術講演会. 2004.NIMS著者竹口 雅樹Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-02-14 11:30:57 +0900 更新時刻 :2017-07-10 18:57:47 +0900