InGaN/GaN量子井戸構造におけるIn組成、格子歪および内部電界のマッピング
(Mapping In concentration, strain and internal electric field in InGaN/GaN quantum well structure)
第51回応用物理学関係連合学術講演会. 2004年03月28日-2004年03月31日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:30:57 +0900 更新時刻: 2017-07-10 18:57:47 +0900