Purity and flatness control of interfaces between silicide and Si by H termination of Si surfaces
(Si表面のH終端化によるシリサイド/Si界面の純度と平坦性の制御)
8th International Conference on the Formation of Semiconductor I. 2001年06月10日-2001年06月15日.
NIMS著者
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作成時刻: 2022-09-05 11:07:24 +0900 更新時刻: 2022-09-05 11:07:24 +0900