Growth of GaAs Epitaxial Microcrystals on a S-Terminated GaAs(001) By VLS Mechanism in MBE.
(S終端処理を施したGaAs(001)基板上における，MBE中のVLS機構を利用した，GaAsエピタキシャル微結晶の成長.)
Material Research Society. 1992年11月30日-1992年12月04日.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-01-08 04:58:31 +0900 更新時刻: 2023-04-09 14:56:13 +0900