HOME > 口頭発表 > 書誌詳細最もGaリッチなGaAs(001)-(4x6)表面の新たな構造モデル(Structure model for the Ga-rich GaAs(001)-(4x6) surface)大竹 晃浩, Pavel Kocan, Kaori Seino, Wolf G. Schmidt, 小口 信行. 日本物理学会 2005年秋季大会. 2005.NIMS著者大竹 晃浩Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 03:30:50 +0900更新時刻: 2017-07-10 19:22:25 +0900