HOME > 口頭発表 > 書誌詳細ミストCVD法によるβ-Ga2O3 (011) 基板上NiOエピタキシャル成長余野 正樹, 池之上 卓己, 大島 孝仁, 土井 俊哉. 2026年 第87回応用物理学会秋季学術講演会. 2026年09月08日-2026年09月11日.NIMS著者大島 孝仁Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2026-09-15 03:06:50 +0900 更新時刻: 2026-09-15 03:06:50 +0900
