Growth of GaAs Epitaxial Microcrystals on a S-terminated GaAs Substrate.
(Se終端処理を施したGaAs基板上でのGaAsエピタキシャル微結晶の成長.)
混晶韓個枡現杓累灼角. 1992年07月08日-1992年07月10日.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-02-14 11:44:39 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:13:25 +0900