HOME > 口頭発表 > 書誌詳細環境半導体BaSi2の高圧物性(High-pressure X-ray diffraction study of BaSi2)水野貴, 森嘉, 受川浩士, 財部健一, 今井 基晴. 日本物理学会. 2005年03月24日-2005年03月27日.NIMS著者今井 基晴Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 04:01:57 +0900更新時刻: 2017-07-10 19:17:21 +0900