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環境半導体BaSi2の高圧物性
(High-pressure X-ray diffraction study of BaSi2)

水野貴, 森嘉, 受川浩士, 財部健一, 今井 基晴.
日本物理学会. 2005年03月24日-2005年03月27日.

NIMS著者


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    作成時刻: 2017-01-08 04:01:57 +0900更新時刻: 2017-07-10 19:17:21 +0900

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