HOME > 口頭発表 > 書誌詳細硬X線光電子分光法による酸化物高誘電体ReRAM素子動作時の界面構造解析(Hard X-ray Photoelectron Spectroscopic Study on High-k Dielectrics Based ReRAM Structure under Bias Operation)長田 貴弘. 第25回日本MRS年次大会. 2015年12月08日-2015年12月10日. 招待講演NIMS著者長田 貴弘Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 03:30:00 +0900 更新時刻: 2024-03-05 11:46:01 +0900