MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs
(High Electron Mobility Triangular InGaAs-OI nMOSFETs with (111)B Side Surface Formed by MOVPE Regrowth)
Technical comittee on Silicon Device Meeting (SDM). 2014.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-02-14 11:01:47 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:05:26 +0900