MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs

MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs
(High Electron Mobility Triangular InGaAs-OI nMOSFETs with (111)B Side Surface Formed by MOVPE Regrowth)

IRISAWA Toshifumi, ODA Minoru, TEZUKA Tsutomu, MORIYAMA Yoshihiko, MAEDA Tetsuro, MIEDA Eiko, ジェバスワンウイパコーン, ICHIKAWA Osamu, HATA Masahiko, MIYAMOTO Yasuyuki.

Technical comittee on Silicon Device Meeting (SDM). 2014.

NIMS author(s)

JEVASUWAN, Wipakorn

Fulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)

Created at: 2017-02-14 11:01:47 +0900Updated at: 2017-07-10 22:05:26 +0900

MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs(High Electron Mobility Triangular InGaAs-OI nMOSFETs with (111)B Side Surface Formed by MOVPE Regrowth)

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MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs
(High Electron Mobility Triangular InGaAs-OI nMOSFETs with (111)B Side Surface Formed by MOVPE Regrowth)