HOME > 口頭発表 > 書誌詳細硬X線光電子分光による EuNi2(Si1-xGex)2 (x=0.70, 0.79, 0.82) の温度誘起価数転移の研究(Temperature induced valence transition in EuNi2(Si1-xGex)2 (x=0.70, 0.79, 0.82) studied by hard X-ray photoemission)市木勝也, 三村功次郎, 安齋太陽, 魚住孝幸, 本並哲, 小林大祐, 佐藤仁, 内海有希, 上田 茂典, 光田暁弘, 和田裕文, 田口幸広, 島田賢也, 生天目博文, 谷口雅樹. 日本物理学会2013年秋季大会. 2013年09月25日-2013年09月28日.NIMS著者上田 茂典Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 05:10:10 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:40:25 +0900