GaAsのSe終端処理時に於ける化合物層の生成.
(Formation of Compound Layer during Se-Termination on GaAs(001).)
応用物理学会. 1992年09月16日-1992年09月19日.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-02-18 00:24:53 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:13:34 +0900