First-principles and STM Studies on Misfit Dislocations Generated at InAs/GaAs(110) Heterointerface
(第一原理計算およびSTM観察によるInAs/GaAs(110)ヘテロ界面中ミスフィット転位に関する研究)
International Conference on the Physics of Semiconductors(ICPS). 2000年09月17日-2000年09月22日.
NIMS著者
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作成時刻: 2022-09-05 11:03:54 +0900 更新時刻: 2022-09-05 11:03:54 +0900