HOME > 口頭発表 > 書誌詳細不純物イオンをドープしたシリコン量子ドットの合成と溶液プロセスによるP-N接合構築(Rational Doping Strategy to Build the First Solution-Processed p-n Homojunction Architecture of Silicon Quantum Dots)白幡 直人, 山田 博之, ゴッシュ バツ. 日本化学会 第105回春季年会 (2025). 2025年03月26日-2025年03月29日.NIMS著者白幡 直人Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2025-04-01 03:06:47 +0900 更新時刻: 2025-04-01 03:06:47 +0900