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9 MeV C60イオン照射されたSi表面の照射量依存性－トラックからナノドットへー
(Fluence dependence of surface morphology of Si irradiated with 9 MeV C60 ions)
日本物理学会第80回年次大会(2025年). September 16, 2025-September 19, 2025.
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Created at: 2025-09-23 03:12:51 +0900 Updated at: 2025-09-23 03:12:51 +0900