HOME > 口頭発表 > 書誌詳細GaNトランジスタの界面状態制御(3D Nanoscale Control of Interface Chemistry of GaN-based Transistor)大美賀 圭一, 舘野 泰範, 駒谷 務, 河内 剛志, 永村 直佳, 小嗣 真人, 堀場 弘司, 末光 眞希, 尾嶋 正治, 吹留 博一. Symposium on Surface and Nano Science 2016. 2016年01月13日-2016年01月17日.NIMS著者永村 直佳Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 04:36:28 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:26:53 +0900