Exploration of Track Formation Threshold of Silicon Crystal Irradiated with C60 Ions Down to 30 keV
(C60イオン照射されたシリコン結晶のイオントラック形成閾値の最低30keVまでの探索)
第32回 日本MRS年次大会 国際シンポジウム. 2022年12月05日-2022年12月07日.
NIMS著者
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作成時刻: 2022-12-14 03:29:08 +0900 更新時刻: 2022-12-14 03:29:08 +0900