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In-situ P doped SiGe ストレッサーを有する引張り歪み GeOI nMOSFET の高電流駆動力実証
(High performance strained GeOI nMOSFETs with in-situ doped epitaxial SiGe stressors )

Y. Kamimuta, Y. Moriyama, E. Mieda, Tatsuro Maeda, ジェバスワン ウイパコーン, Y. Kurashima, H. Takagi, M. Oda, T. Irisawa, K. Ikeda, E. Kurosawa, T. Tezuka.
The 61st JSAP Spring Meeting 2014. 2014.

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    作成時刻: 2017-01-08 04:59:10 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:05:12 +0900

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