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著者名Y. Kamimuta, Y. Moriyama, E. Mieda, Tatsuro Maeda, ジェバスワン ウイパコーン, Y. Kurashima, H. Takagi, M. Oda, T. Irisawa, K. Ikeda, E. Kurosawa, T. Tezuka.
タイトルIn-situ P doped SiGe ストレッサーを有する引張り歪み GeOI nMOSFET の高電流駆動力実証
(High performance strained GeOI nMOSFETs with in-situ doped epitaxial SiGe stressors )
会議名The 61st JSAP Spring Meeting 2014
発表年2014
言語Japanese
外部での文献参照

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