In-situ P doped SiGe ストレッサーを有する引張り歪み GeOI nMOSFET の高電流駆動力実証
(High performance strained GeOI nMOSFETs with in-situ doped epitaxial SiGe stressors )
The 61st JSAP Spring Meeting 2014. 2014年03月17日-2014年03月20日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 04:59:10 +0900 更新時刻: 2017-07-10 22:05:12 +0900