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全反射HAXPESによるアモルファス酸化物半導体の 価電子帯直上欠陥の深さ方向分布
(Depth analysis of near-valence band maximum states in amorphous oxide semiconductor by total reflection HAXPES)

K. Ide, M. Ota, Y. Kishida, T. Katase, H. Hiramatsu, 上田 茂典, 雲見日出也, 細野秀雄, 神谷利夫.
第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018. 招待講演

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    作成時刻: 2018-01-19 22:07:51 +0900更新時刻: 2024-03-05 12:20:31 +0900

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