HOME > Presentation > Detail遷移金属イオンドーピングによるナノ結晶シリコン中のバンドエンジニアリング(Bandgap engineering in nanocrystalline silicon as a result of transition-metal doping)白幡 直人, 増田. 粉体粉末冶金協会 平成30年度春季大会. May 14, 2018-May 16, 2018.NIMS author(s)SHIRAHATA, NaotoFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2018-02-08 22:22:00 +0900Updated at: 2018-06-05 14:18:08 +0900