HOME > 口頭発表 > 書誌詳細サファイア基板面内でのGaN薄膜の極性構造制御とその応用(Control of GaN polarity in-plane on sapphire substrate and its application)角谷 正友. 新技術説明会. 2007. 招待講演NIMS著者角谷 正友Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:24:24 +0900更新時刻: 2024-03-05 11:41:49 +0900