In situ spectroscopic measurement of defect formation in SiO_2 induced by femtosecond laser irradiation
(フェムト秒レーザ照射により誘起されたSiO2の欠陥生成のその場分光測定)
The 22nd International Conference on Defects in Semiconductors. 2003年07月28日-2003年08月01日.
NIMS著者
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作成時刻: 2022-09-05 11:23:47 +0900 更新時刻: 2022-09-05 11:23:47 +0900