HOME > 口頭発表 > 書誌詳細(Research of double polarities selective area growth of GaN by using MOVPE)藤田陽平, Y.Takano, Y.Inoue, 角谷 正友, 福家俊郎, 中野貴之. International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012). 2012.NIMS著者角谷 正友Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:36:08 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:33:18 +0900