HOME > 口頭発表 > 書誌詳細±c GaN極性面のアルカリ溶液選択エッチングに関する理論計算(Theoretical calculation of ±c GaN surface for understanding selective etching in alkali solution)角谷 正友, 隅田 真人. 第70回応用物理学会春季学術講演会. 2023.NIMS著者角谷 正友Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2023-04-10 17:34:51 +0900更新時刻: 2023-04-10 17:34:51 +0900