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フローティングゾーン法による Siクラスレート化合物Ba8GaxSi46-x高品質単結晶の育成
(High-quality Single Crystal Growth of Ba8GaxSi46-x by Floating Zone Method)
2026年 第73回 応用物理学会 春季学術講演会. March 15, 2026-March 18, 2026.
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Created at: 2026-03-19 03:08:10 +0900 Updated at: 2026-03-19 03:08:10 +0900