フローティングゾーン法による Siクラスレート化合物Ba8GaxSi46-x高品質単結晶の育成
(High-quality Single Crystal Growth of Ba8GaxSi46-x by Floating Zone Method)
2026年 第73回 応用物理学会 春季学術講演会. 2026年03月15日-2026年03月18日.
NIMS著者
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作成時刻: 2026-03-19 03:08:10 +0900 更新時刻: 2026-03-19 03:08:10 +0900