Valence band structure of III-V nitride films characterized by hard X-ray photoelectron spectroscopy
(硬ｘ線光電子分光によるIII-V族窒化物薄膜の価電子帯構造評価)
8th International conference on nitride semiconductor. 2009.
NIMS著者
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作成時刻: 2022-09-05 12:26:03 +0900更新時刻: 2022-09-05 12:26:03 +0900